Rumor: SK Hynix está trabalhando em novo tipo de memória RAM que promete mais desempenho e menor custo

A SK Hynix, uma das líderes em tecnologia de memória, está desenvolvendo um novo tipo de memória que promete combinar uma interface ampla com custos reduzidos em comparação com as soluções HBM (High Bandwidth Memory).

A inovação reside na utilização do método de embalagem 2.5D fan-out, que pode ter aplicações significativas tanto em gráficos quanto em dispositivos móveis.

Leia também
Google Chrome agora mostra quando cada aba consome de memória RAM
Samsung anuncia a memória RAM LPCAMM; pentes são 60% menores do que os atuais

O diferencial desse novo tipo de memória

No coração dessa tecnologia está a ideia simples, porém eficaz, de colocar dois dispositivos DRAM lado a lado e fundi-los em um único chip usando o empacotamento Fan-out Wafer-Level Packaging (FOWLP) 2.5D.

Este método elimina a necessidade de uma camada extra sob os dispositivos, utilizada em dispositivos de memória dual-die, resultando em chips mais finos e com uma interface mais ampla.

Essa abordagem difere significativamente do método tradicional de fabricação de chips de memória dual ou multi-die e representa um movimento da SK Hynix em direção a métodos mais inovadores que combinam interfaces amplas e eficiência de custos.

Vantagens do método criado pela SK Hynix

Os dispositivos de memória modernos, como GDDR6 e LPDDR5X, apresentam uma interface de 32 bits ou 64 bits, enquanto as memórias HBM ostentam uma interface de 1024 bits, oferecendo uma largura de banda de pico significativamente maior, apesar de taxas de transferência de dados mais baixas.

Contudo, para construir um dispositivo HBM, empresas como a SK Hynix precisam empilhar vários dispositivos de memória, conectá-los usando TSVs (Through-Silicon Vias), colocá-los em uma camada de base e, em seguida, conectá-los a um processador host usando um interposer. Dada a complexidade desse processo, o HBM é notoriamente caro, sendo principalmente usado para soluções de data center e empresariais.

Por outro lado, o DRAM da SK Hynix, construído usando 2.5D FOWLP, dispensa TSVs e interposers, reduzindo significativamente seus custos. Enquanto isso, os dispositivos de memória resultantes apresentam uma interface relativamente ampla (presumivelmente pelo menos 128 bits), proporcionando uma maior largura de banda por chip.

Mais largura de banda e mais barato de produzir

Um dos principais motivos para a adoção deste novo tipo de empacotamento pela SK Hynix é a redução de custos. Embora os custos exatos não sejam conhecidos, presume-se que sejam maiores do que os da LPDDR e GDDR, mas ainda assim muito inferiores aos do HBM.

A questão é se os DRAMs 2.5D Fan-out da SK Hynix serão suportados por aplicações existentes. Inicialmente, parece que os produtos de memória serão usados em dispositivos muito específicos, alinhando-se com a estratégia da empresa de fabricar dispositivos de memória mais especializados e produzidos em quantidades menores.

Essa inovação da SK Hynix tem o potencial de alterar o cenário da indústria de memória, oferecendo soluções de alto desempenho a um custo mais acessível, abrindo novas possibilidades para aplicações em diversos setores.

Fonte: Tom’s Hardware