A Samsung está prestes a revolucionar o mundo da memória digital com anúncios recentes sobre o aumento da densidade de memória em seus chips DRAM e NAND flash. Essas inovações têm o potencial de impactar significativamente a capacidade de armazenamento em dispositivos, bem como impulsionar o avanço da inteligência artificial em escala massiva, com SSD mais poderoso.
Com o Samsung Memory Tech Day 2023 no horizonte, as expectativas estão altas para a próxima geração de tecnologia de memória.
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SSD com capacidade de 1 petabyte pode ser fundamental para IA
O evento Samsung Memory Tech Day 2023 está agendado para ocorrer no Vale do Silício amanhã, dia 20 de outubro. No entanto, a empresa já antecipou algumas de suas novas ambições.
A revelação mais marcante foi a busca pela implementação de módulos DRAM com uma capacidade impressionante de 1 terabyte (1TB). Esses módulos de alta capacidade são um passo importante em direção à realização de SSDs com a notável capacidade de 1 petabyte (1PB), equivalente a 1024 terabytes (TB) ou 1 milhão de gigabytes (GB).
A busca pela densidade de memória extrema é uma resposta às crescentes demandas por armazenamento de dados cada vez maiores. O constante crescimento de aplicações de inteligência artificial, armazenamento de mídia e computação de alto desempenho exige soluções de armazenamento de alto desempenho.
Até o momento, o chip de DRAM de maior densidade da Samsung oferece 512GB. No entanto, a empresa não está satisfeita e planeja dobrar essa capacidade para 1TB.
Para alcançar esse objetivo, a Samsung está explorando novas tecnologias de embalagem e matrizes menores. Essas inovações devem permitir o desenvolvimento de soluções de armazenamento de capacidade excepcional.
Essas melhorias na densidade de memória não são apenas empolgantes em termos de capacidade de armazenamento, mas também têm implicações significativas no avanço da inteligência artificial em hiperescala.
A IA requer acesso rápido e eficiente a grandes conjuntos de dados, e o desenvolvimento de soluções de memória de alta densidade é um passo crucial para atender a essas necessidades.
O que está por vir
A Samsung também está se concentrando no desenvolvimento da V-NAND de 9ª geração, com uma estrutura de dupla pilha. Essa abordagem deve levar a um aumento significativo na densidade de armazenamento, o que é crucial para atender às crescentes necessidades de armazenamento em todos os setores.
No entanto, as inovações da Samsung não se limitam a aplicações de alto desempenho e hiperescala. Recentemente, a empresa anunciou o lançamento de um SSD Portátil T9 resistente a choques e robusto, com capacidades de armazenamento que chegam a 4TB.
À medida que nos aproximamos do Samsung Memory Tech Day 2023, as expectativas só aumentam. As inovações na densidade de memória prometem revolucionar o mundo do armazenamento de dados, capacitando uma nova geração de dispositivos e impulsionando o avanço da inteligência artificial em larga escala.
Fonte: sammobile
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