Pesquisadores da Quinas Technology, uma empresa sediada na Universidade de Lancaster, na Inglaterra, anunciaram a criação da ULTRARAM. Trata-se de uma inovação tecnológica que combina as características da memória RAM e do armazenamento SSD em um único componente.
A ULTRARAM promete revolucionar a forma como os computadores armazenam e acessam dados, com potencial para reter informações por até 1.000 anos. Nos próximos parágrafos eu explico todos os detalhes desta nova tecnologia.
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Atualmente, os sistemas computacionais operam com duas categorias fundamentais de memória: a memória flash, frequentemente empregada em SSDs, e a memória DRAM, conhecida popularmente como RAM.
Para contextualizar, a memória DRAM é uma forma de memória volátil que não retém dados, mas acessa informações velozmente, auxiliando o processador a obter dados cruciais. A questão é que esse elemento consome uma quantidade significativa de energia para operar. E ao desligar o computador, a memória elimina todas as informações, reiniciando o processo quando o dispositivo é ligado novamente.
As memórias flash, em contrapartida, foram concebidas para conservar grandes quantidades de dados. É nestas estruturas que se armazenam jogos, imagens, vídeos, programas, entre outros. A dificuldade com essa memória reside na sua velocidade reduzida, e cada vez que o computador é ativado, o sistema necessita carregar todos esses dados, resultando em um atraso de alguns segundos até que o equipamento esteja plenamente operacional.
ULTRARAM chega para eliminar os gargalos deixados pela RAM e SSD
A ULTRARAM chega para solucionar estes gargalos. É uma nova forma de “memória universal” que supera a longevidade do armazenamento flash de um SSD e iguala as velocidades de leitura/gravação da memória RAM. Tudo isso com uma demanda de energia menor.
A tecnologia utiliza ressonância quântica mecânica para oferecer uma combinação inigualável de velocidade, não volatilidade, resistência e eficiência energética. A ULTRARAM é baseada em carga que armazena dados movendo elétrons para dentro ou fora de um “gate” flutuante.
A carga é lida de forma não destrutiva, medindo a condutância de um “canal” subjacente. A memória também possui uma barreira que atua como uma “fechadura” para reter elétrons, permitindo o fluxo de carga quando a memória está sendo escrita ou apagada.
O desenvolvimento desta tecnologia foi encabeçada pelo Professor Manus Hayne do departamento de física da Universidade de Lancaster. A Quinas Technology, uma empresa derivada da universidade, é responsável pelo desenvolvimento e promoção da ULTRARAM.
Aplicações e potencial
A ULTRARAM promete desempenho no nível da DRAM, consumindo muito menos energia e retendo dados por 1.000 anos. Isso pode ter implicações significativas para centros de dados, por exemplo, reduzindo as demandas de energia.
Para o consumidor final, a tecnologia pode eliminar o modo de suspensão, permitindo que os sistemas mantenham seu estado mesmo com a energia desligada, reiniciando instantaneamente.
Embora a ULTRARAM seja um conceito promissor, ainda não se sabe quais são os custos para fabricação em massa e como essa peça se integraria com dispositivos reais, como smartphones e notebooks. A tecnologia está em desenvolvimento há alguns anos e pode levar algum tempo até que seja vista no mercado.
Fonte: PC Gamer
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