Samsung passa TSMC e já inicia produção de chips de 3nm

Samsung passa TSMC e já inicia produção de chips de 3nm

A Samsung já anunciou que começou a produção dos seus chips com litografia de 3 nm, ultrapassando sua concorrente TSMC que só deverá iniciar esse processo na segunda metade desse ano, 2022.

A empresa revelou algumas informações sobre o começo dessa produção, além de mostrar alguns comentários de empresas parceiras na jornada.

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Samsung já pensa em segunda geração de chips de 3 nm

De acordo com a Samsung, os novos chips com litografia 3 nm conseguem oferecer uma eficiência energética 45% maior quando comparados com os chips anteriores de 5 nm. Eles também contam com uma área de superfície 16% menor e com um desempenho 23% maior, embora esses valores dependam também da aplicação do semicondutor em cada produto.

A tecnologia GAA da Samsung, FET Multi-Bridge-Channel (MBCFET), será implementada pela primeira vez, e promete ultrapassar os limites de desempenho do FinFET.

chips de 3 nm

“A Samsung cresceu rapidamente à medida que continuamos a demonstrar liderança na aplicação de tecnologias de última geração à fabricação, como o primeiro portão de metal High-K da indústria de fundição, FinFET, bem como EUV. Buscamos continuar essa liderança com o primeiro processo de 3 nm do mundo com o MBCFET”, disse o Dr. Siyoung Choi, presidente e chefe de negócios de fundição da Samsung Electronics. “Continuaremos a inovar ativamente no desenvolvimento de tecnologia competitiva e criaremos processos que ajudem a acelerar o alcance da maturidade da tecnologia.”

A empresa ainda foi além e revelou que existem planos para uma segunda geração dos chips 3 nm, com 50% menos consumo de energia e com um tamanho 35% menor do que a primeira geração. O desempenho também vai subir em até 30%.

Devido as capacidades do novo chip de 3 nm, eles serão indicados inicialmente para a área de computação que precise de alto desempenho e com baixo consumo de energia. Só então depois que eles poderão chegar também para smartphones e dispositivos móveis.

Porém, esse anúncio do início da produção ainda é uma grande notícia para a empresa, principalmente porque ela sai na frente nessa categoria, o que pode garantir vantagens nas contratações de produção dos chips já que é um mercado bem competitivo.

chips de 3 nm

Por enquanto eles serão fabricados apenas na fábrica da Samsung que fica em Hwaseong, na Coreia do Sul. É possível que eles também sejam fabricados em uma nova planta no Texas, Estados Unidos, porém isso só deverá acontecer em 2024.

Parceiros se pronunciam sobre o avanço

A Samsung ainda revelou comentários de principais parceiros Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE). São eles:

“Juntos, Ansys e Samsung continuam a fornecer tecnologia capacitadora para os designs mais avançados, agora em 3nm com tecnologia GAA. A fidelidade de aprovação de nossa plataforma de simulação multifísica Ansys é uma prova de nossa parceria contínua com a Samsung Foundry na vanguarda. A ANsys continua comprometida em oferecer a melhor experiência de design para nossos clientes avançados mútuos.” – Ansys, [ John Lee , Vice-presidente e Gerente Geral da Unidade de Negócios de Eletrônicos, Semicondutores e Óptica da Ansys ]

“Parabenizamos a Samsung por este marco de lançamento de produção de 3nm GAA. A Cadence trabalhou em estreita colaboração com a Samsung Foundry para permitir que os clientes atingissem potência, desempenho e área ideais para este nó usando nossas soluções digitais, desde a caracterização da biblioteca até a implementação e aprovação de fluxo digital completo, tudo impulsionado por nossa tecnologia baseada em IA Cadence Cerebrus para maximizar a produtividade. Com nossas soluções personalizadas, colaboramos com a Samsung para habilitar e validar um fluxo AMS completo para aumentar a produtividade desde o projeto e simulação de circuitos até o layout automatizado. Estamos ansiosos para continuar essa colaboração para alcançar mais sucessos de tapeout.” – Cadence, [Tom Beckley, vice-presidente sênior e gerente geral, Custom IC & PCB Group da Cadence]

“A Siemens EDA está satisfeita por ter colaborado com a Samsung para ajudar a garantir que nossas plataformas de software existentes também funcionem no novo nó de processo de 3 nanômetros da Samsung desde a fase inicial de desenvolvimento. Nossa parceria de longa data com a Samsung por meio do programa SAFE ™ gera valor significativo para nossos clientes mútuos, por meio da certificação das ferramentas EDA líderes do setor da Siemens em 3 nm.” – Siemens EDA, [ Joe Sawicki , vice-presidente executivo do segmento IC-EDA da Siemens Digital Industries Software ]

“Por meio de nossa colaboração estratégica de longa data com a Samsung Foundry, estamos permitindo que nossas soluções ofereçam suporte aos processos avançados da Samsung, ajudando nossos clientes mútuos a acelerar significativamente seus ciclos de design. Nosso suporte para o processo de 3nm da Samsung com arquitetura GAA continua se expandindo, agora com nossos produtos Synopsys Digital Design, Analog Design e IP, permitindo que os clientes forneçam SoCs diferenciados para os principais aplicativos de computação de alto desempenho.” – Synopsys, [Shankar Krishnamoorthy, gerente geral e equipe corporativa do Silicon Realization Group da Synopsys ]

Fonte: Samsung Newsroom

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