Samsung iniciou o desenvolvimento de memórias DDR6 e GDDR6

Essa semana a Samsung realizou o evento Samsung Tech Day 2021 e com isso anunciou novos detalhes do que a empresa pretende trazer de inovações para os próximos anos, principalmente a divisão de semicondutores. Esse é um evento mais fechado que precisa de um cadastro para participar e não é possível divulgar os materiais oficiais exibidos por lá, porém o ComputerBase trouxe algumas das novidades reveladas pela empresa, principalmente em relação as novas memórias DDR6, GDDR7 e HBM3.

Atualmente o grande foco de memórias está ainda nas DDR5, que estão começando a chegar por agora no mercado e já trazem uma grande inovação em relação as memórias DDR4. O mesmo acontece com os chips GDDR6 e HBM2, que são recentes e ainda estão em foco.

Porém, a Samsung mostra que já está de olho no futuro e por isso já está se preparando para as próximas gerações desses componentes. Para isso, ela revelou estar já em fases de pesquisas para que consigam um desenvolvimento apropriados e, com isso, grandes melhorias como saltos em termos de velocidade.

Novas memórias DDR6 têm velocidade de até 17.000 MT/s

DDR6

Para começar, vamos falar um pouco sobre as novas memórias DDR6. Elas serão um salto em relação as novas DDR5 que começaram a chegar ao mercado ainda esse ano com a 12ª geração Intel Alder Lake sendo o primeiro grupo de processadores a contar com a compatibilidade com esse tipo de tecnologia.

As novas memórias DDR5 significam um aumento considerável na velocidade e podem atingir até 8.500 MT/s, além também de trazerem novidades na arquitetura com mudanças como controlador de voltagem integrado, correção de erros, hub SPD que permitem armazenar perfis de voltagem e de overclocking, entre outras.

Com a atual situação do mercado e da escassez de componentes, pode ser que essas novas memórias tenha uma adoção um pouco mais demorada, e por isso a previsão é que ela dure pelo menos 2 anos. Até porque elas chegam com valores altos, então por enquanto deverão fazer parte apenas de iniciativas mais profissionais, demorando mais um pouco para chegar ao consumidor comum.

Só que, mesmo diante do começo da adoção das memórias DDR5, a Samsung já trouxe para o Tech Day seus planos para desenvolvimento da próxima geração, as memórias DDR6, além de divulgar alguns detalhes sobre o que esperar delas.

DDR6

Na tabela de comparação entre os tipos de memórias, podemos ver que as velocidades máximas mais do que triplicam das DDR4 para as DRR6, partindo de 5.333 MT/s para até 17.000 MT/s. Esse valor é o dobro para a DDR6 em relação a DDR5, que tem velocidade máxima de 8.500 MT/s.

A velocidade padrão também mantém esse esquema, dobrando de 6.400 MT/s da DDR5 para 12.800 MT/s para a DDR6. E a DDR4, com 3.200 MT/S, é cerca de 4 vezes menor do que a geração do futuro.

Outra mudança está relacionada aos canais de módulo. Enquanto as memórias DDR4 têm apenas 1 canal, as DDR5 aumentou para 2 canais e as DDR6 vão dobrar esse valor, tendo 4 canais.

A Samsung também falou um pouco sobre a LPDDR (Low Power DDR), ou seja, a memória DDR de baixo consumo. A empresa confirmou a LPDDR5X, que tem velocidades que chegam em até 8.500 MT/s e começarão a ser produzidas no ano que vem, 2022. Os chips LPDDR6 que chegarão em conjunto com as memórias DDR6 também deverão atingir os 17.000 MTS/s, ainda que tenham redução de 20% do consumo.

Mas vale lembrar que as especificações anunciadas no evento podem mudar até 2024, que é quando a documentação final sobre eles deverá chegar. Isso porque a Samsung está trabalhando com os outros membros do JEDEC, um órgão responsável pelas definições de protocolos de memória. Nesse grupo está ainda a SK Hynix e outras fabricantes e eles pretendem assim definir os parâmetros para as memórias DDR6 E LPDDR6.

Samsung também revelou seus planos para as GDDR7

GDDR6

A empresa também falou um pouco sobres as memórias GDDR, que são dedicadas as placas de vídeo. Assim como as memórias RAM, elas estão em sua geração GDDR6, porém há mais tempo no mercado já que foram lançadas no mercado em 2018 com a chegada das GPU Nvidia GeForce RTX 2000.

As memórias atuais podem atingir até 18 Gbps e a fabricante sul-coreana já anunciou seus planos para aumentar o clock para 24 Gbps ainda esse ano com o lançamento de uma versão atualizada, a GDDR6+. Essa nova versão é ainda mais potente do que a GDDR6X, uma solução da Micron que é usada pela Nvidia e que garante velocidade de 21 Gbps.

Além dessa nova versão da GDDR6, a Samsung também mostrou os primeiros detalhes da nova geração, a GDDR7, que deverá chegar com velocidades 70% maiores do que as atuais e alcançando 32 Gbps. Ainda não há uma previsão de quando isso acontecerá, entretanto.

Outra novidade que chega com a GDDR7 é uma nova função para “correção de erros em tempo real”. Embora tenha sido anunciada, a função não foi explicada com detalhes, então ainda não dá para saber exatamente como ela vai funcionar.

Aqui também existem as possibilidades de mudanças, já que essas memórias também estão a espera do anúncio dos parâmetros oficiais da JEDEC.

HBM3 poderá chegar a até 8000 GB/s

HBM3

Por fim, outro ponto tocado pela Samsung durante o evento é a respeito das próximas HBM (High-Bandwith Memory), que são memórias voltadas para computação de alta performance (HPC) tanto para processadores quanto para placas de vídeo de servidores. Isso porque a arquitetura dessas memórias permite que elas possam atingir velocidades muito altas.

Atualmente o padrão é a HBM2, que podem atingir taxas de transferência de até 410 GB/s, além das novas HBM2E, versões melhoradas cujas taxas chegam a até 450 GB/s. A Samsung já está trabalhando na próxima geração, a HBM3, e seu objetivo é praticamente dobrar essas velocidades, podendo chegar a até 800 GB/s.

Ela revelou que pretende lançar uma memória feita principalmente para ser ideal pra aplicações de Inteligência Artificial, e que sua produção em massa já terá início no segundo trimestre de 2022, ou seja, entre abril e junho.

Fonte: ComputerBase, VideoCardz, WCCFTech (1, 2)