IBM anuncia avanço no desenvolvimento de memória PCM

Pesquisadores da IBM anunciaram um grande avanço em um tipo de memória que vem sendo cada vez mais explorada, a PCM (phase-change memory), permitindo armazenar de maneira confiável múltiplos bits de dados por célula em longos períodos de tempo, a velocidades várias vezes maior que os chips baseados em memória flash atuais. Embora a empresa não seja a primeira a demonstrar memória PCM com células multi-bit, a IBM conseguiu contornar um problema persistente chamado de “drift”, que causava erros em dados antigos.

Para quem não se lembra, a memória PCM, “assim como as RAM, pode escrever bits ou bites simples ao invés de blocos inteiros, fazendo isso com latência muito pequena e banda de leitura semelhante (embora de escrita menor); além disso, as memórias PCM são do tipo não-voláteis, significando que “relembra” os dados guardados mesmo quando a energia é cortada, como no caso das memórias flash.”

Um dos grandes problemas da memória PCM multi-bit, até então, era que com o tempo os elétrons nas células tinham a tendência de serem ‘levados’, ‘deslizados’, o que fazia os níveis de resistência no circuito do chip sofrerem alterações, causando erros nos dados.

Para superar isso, os pesquisadores da IBM aplicaram uma técnica de modulação de codificação avançada, que pode corrigir os erros causados por tais ‘deslizes’, demonstrando os resultados e a confiabilidade através da leitura de um arranjo de 200 mil células PCM, meses depois de terem sido armazenadas. Obviamente, é necessário chegar a um nível de anos, e não meses, para que a memória PCM seja comercializada, mas a IBM acredita que terá a tecnologia pronta para utilização em servidores em 2016.

O campo das memórias PCM está sendo estudado em forma ascendente, como fazem a Numonyx e universidades, e quem sabe, será parte de nosso futuro cotidiano.