A tecnologia UltraRAM acaba de alcançar um marco importante em sua jornada rumo à comercialização. A Quinas Technology, empresa responsável pelo desenvolvimento desta revolucionária memória, anunciou que conseguiu escalar o processo de fabricação para produção em volume, após um ano de colaboração com a IQE plc, fabricante especializada em produtos avançados de wafer. A novidade é significativa porque a UltraRAM promete combinar o melhor de dois mundos: velocidade comparável à DRAM com durabilidade 4.000 vezes superior às memórias NAND atuais.
De acordo com informações do site Blocks & Files, a parceria entre as empresas resultou no desenvolvimento de um processo inédito de epitaxia de antimoneto de gálio e antimoneto de alumínio, considerado o primeiro do tipo no mundo. Este avanço é fundamental para viabilizar a produção em larga escala da tecnologia, que vem sendo acompanhada pelo mercado desde suas primeiras demonstrações em 2022.
“Conseguimos atingir com sucesso nosso objetivo de desenvolver um processo de epitaxia escalável para a UltraRAM, um marco importante rumo à produção industrial de chips empacotados”, afirmou Jutta Meier, CEO da IQE, em comunicado. Este processo de epitaxia é crucial para a tecnologia, pois envolve o crescimento de camadas semicondutoras compostas com alta precisão sobre um substrato cristalino, antes da aplicação de técnicas mais convencionais de produção de chips.
James Ashforth-Pook, CEO e cofundador da Quinas, complementou destacando que este momento representa “um ponto de virada na jornada desde a pesquisa universitária até produtos comerciais de memória”. Segundo a empresa, o próximo passo no roteiro de comercialização envolve avaliar a produção piloto com diversas fundições e outros parceiros potenciais.
Uma memória com o melhor de dois mundos
O que torna a UltraRAM tão especial é sua capacidade de combinar características que normalmente não coexistem nas tecnologias atuais. Enquanto as memórias DRAM são rápidas mas voláteis (perdendo dados quando desligadas), e as NAND são não-voláteis mas relativamente lentas e com vida útil limitada, a UltraRAM promete velocidades similares à DRAM com retenção de dados por até mil anos, mesmo sem energia.
A tecnologia funciona através de um processo quântico chamado “tunelamento ressonante”, utilizando uma estrutura de barreira tripla (TBRT). Em condições normais, esta barreira mantém-se altamente resistiva, permitindo o armazenamento de dados por períodos extremamente longos. Porém, quando uma pequena voltagem de aproximadamente 2,5V é aplicada, a barreira se “destranca”, permitindo a rápida passagem de elétrons.
Outro benefício notável da UltraRAM é seu consumo de energia significativamente menor. De acordo com a Quinas, a tecnologia consome 100 vezes menos energia que a DRAM, 1.000 vezes menos que a Flash, e 10.000 vezes menos que outras memórias emergentes. Esta característica é particularmente relevante em um momento em que a eficiência energética se torna cada vez mais importante para data centers e dispositivos móveis.
As camadas ativas da UltraRAM são compostas por semicondutores GaSb, InAs e AlSb, depositados através de uma técnica chamada epitaxia de feixe molecular. Na estrutura de barreira tripla, essas camadas possuem apenas algumas camadas atômicas de espessura, demonstrando o nível de precisão nanométrica necessário para sua fabricação.
Para o mercado brasileiro, que depende principalmente de importações de componentes eletrônicos avançados, o desenvolvimento da UltraRAM pode representar, no futuro, a possibilidade de dispositivos com maior eficiência energética e durabilidade. Embora ainda não haja previsão específica para disponibilidade comercial, o avanço para a fase de produção em volume indica que a tecnologia está mais próxima de chegar aos produtos finais.
Fonte: Tom’s Hardware
