A Samsung está desenvolvendo um novo tipo de memória para portáteis com largura de banda ultra-larga, destinado a smartphones e tablets. A nova memória RAM LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) aumenta a banda simplesmente aumentando o número de pinos no chip em 16 vezes, de 32 para 512 pinos.
O efeito permite um aumento de desempenho de 8 vezes, se comparado à memória DDR convencional, de 1,6 GB por segundo para 12,8 GB por segundo, e ainda 4 vezes mais rápido que a tecnologia LPDDR2 atual. Mesmo com o aumento em desempenho, a melhoria permitirá um consumo de energia reduzido em 87%, afirma a empresa.
O avanço primeiramente será implementado em um chip de 1 Gigabit (128 MB), feito sob processo de 50 nanômetros. A Samsung não disse nada sobre quando o chip será comercializado, mas seus planos a longo prazo tem uma versão da mesma tecnologia LPDDR2 em um chip de 4 Gb (512 MB), a 20 nanômetros, chegando em 2013. Os chips de memória tradicional já estão sendo feitos em 30 nanômetros, e isso sugere que a Samsung poderá distribuir a sua nova memória LPDDR2 em breve.
Obviamente que clientes não foram citados, mas além da própria Samsung, é provável que a Apple use a novidade, por ser uma das principais clientes da coreana em memória para portáteis.
