Intel firma aliança para voltar a fabricar memória RAM e desafiar as gigantes atuais

A Intel está voltando ao jogo das memórias, um mercado que abandonou na década de 1980, e dessa vez ela não está sozinha. Em uma parceria estratégica com a Saimemory (subsidiária do SoftBank), a gigante dos chips anunciou o desenvolvimento da Z-Angle Memory (ZAM), uma nova tecnologia projetada para competir diretamente com a onipresente HBM (High Bandwidth Memory) usada em data centers de IA.

O Que é a ZAM?

Enquanto a HBM atual é rápida, ela é cara, esquenta muito e tem capacidade limitada. A ZAM promete resolver essa equação com números agressivos. Segundo o Nikkei, a nova memória foi projetada para oferecer:

• 2 a 3 vezes mais capacidade que a HBM.

• Metade do consumo de energia.

• Custo de produção 60% menor.

O segredo está no empilhamento. A tecnologia utiliza a técnica proprietária da Intel chamada EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) e um novo método de “Next Generation DRAM Bonding” (NGDB). Isso permite empilhar mais chips DRAM verticalmente e reduzir a latência entre eles, criando um “bloco” de memória denso e eficiente.

A estratégia de longo Prazo 

Não espere ver a ZAM servidores rapidamente. O projeto é uma aposta de longo prazo. Os primeiros protótipos funcionais estão previstos para 2027, com produção em massa planejada apenas para 2029. O objetivo é atender à demanda futura da IA, quando os modelos forem grandes demais para a HBM atual suportar economicamente.

Além da tecnologia, há um movimento geopolítico forte. O projeto conta com apoio de empresas japonesas como Fujitsu e Shinko Electric, além da Universidade de Tóquio. Para o SoftBank, isso é uma tentativa de recolocar o Japão, que dominou o setor nos anos 80 antes de perder espaço para Coreia do Sul (Samsung/SK Hynix) e Taiwan, de volta na liderança da cadeia de suprimentos de semicondutores críticos.