Nos próximos 15 anos, a indústria de tecnologia poderá ser completamente revolucionada com chips de 0,2 nm e estruturas tridimensionais monolíticas que ultrapassam as limitações atuais dos semicondutores. Estas previsões fazem parte do ambicioso Roteiro Tecnológico de Semicondutores 2026, recentemente apresentado pelo Instituto de Engenheiros de Semicondutores (ISE), que traça um panorama de evolução para o setor até 2040.
O documento projeta avanços impressionantes em nove áreas tecnológicas fundamentais, incluindo dispositivos semicondutores, chips para inteligência artificial, conexões ópticas e computação quântica. Entre as previsões mais impactantes está o aumento das camadas de memória flash NAND, que deverão saltar das atuais 321 para surpreendentes 2.000 camadas nas próximas décadas.
De acordo com o roteiro, um dos principais objetivos deste mapeamento tecnológico é fortalecer a competitividade da indústria de semicondutores a longo prazo, impulsionar a pesquisa acadêmica e estabelecer estratégias para o desenvolvimento de recursos humanos especializados no setor.
Atualmente, o estado da arte na fabricação de semicondutores é representado pela tecnologia Gate-All-Around (GAA) de 2 nm da Samsung. A gigante sul-coreana, no entanto, já trabalha em variantes aprimoradas desse processo e concluiu o projeto básico de seu nó GAA de 2 nm de segunda geração. Nos próximos dois anos, a empresa planeja implementar o SF2P+, sua tecnologia GAA de 2 nm de terceira geração.
Em um movimento ainda mais ousado, a Samsung formou uma equipe dedicada à pesquisa de chips de 1 nm, com planos para iniciar a produção em massa em 2029. Esta evolução representa um passo significativo na direção dos chips de 0,2 nm, que segundo o relatório, deverão se tornar realidade até 2040.
Esses futuros chips ultraminiaturizados utilizarão uma estrutura de transistor de última geração, o CFET (Transistor de Efeito de Campo Complementar), combinada com um design monolítico tridimensional que promete redefinir os limites físicos da fabricação de semicondutores.
Os avanços projetados não se limitam apenas aos processadores. A tecnologia DRAM deverá ver seu circuito de memória reduzido de 11 nm para 6 nm. Já a memória de alta largura de banda (HBM) evoluirá de suas atuais 12 camadas e 2 TB/s para impressionantes 30 camadas e largura de banda de 128 TB/s.
No campo da NAND, onde a SK hynix já desenvolveu a tecnologia QLC de 321 camadas, os futuros avanços permitirão a criação de módulos com até 2.000 camadas, multiplicando exponencialmente a capacidade de armazenamento dos dispositivos.
Um dos impactos mais significativos dessa evolução será observado no setor de inteligência artificial. Os atuais processadores de IA, capazes de atingir cerca de 10 TOPS (trilhões de operações por segundo), darão lugar a chips muito mais potentes. As projeções indicam que, em aproximadamente quinze anos, os semicondutores para IA poderão gerar 1.000 TOPS por segundo para tarefas de aprendizado de máquina e 100 TOPS para operações de inferência.
Esta revolução tecnológica promete redefinir não apenas smartphones e computadores, mas todo o ecossistema digital, possibilitando avanços sem precedentes em áreas como veículos autônomos, medicina personalizada, cidades inteligentes e computação de alto desempenho
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Esta postagem foi modificada pela última vez em 26/12/2025 12:11