A Samsung está correndo contra o tempo e a escala de tamanho, a fim de miniaturizar progressivamente as suas tecnologias de memória. Se memórias fabricadas sob processo de 32 nm já fazem milagres em cartões SD, quando mais os novos chips de memória Flash de 20 nm, da Samsung. A empresa anunciou que foi a primeira a chegar ao estágio de produção em massa de chips NAND de 20 nm para uso em cartões de memória Secure Digital (SD) e outras soluções de memórias embarcadas.
Os NAND MLC de 20 nm da Samsung tem produtividade 50% maior que os NAND MLC de 30 nm da companhia. O desempenho de escrita de um cartão SD de 20 nm, 8 GB e alta densidade é cerca de 30% maior que a antiga geração, chegando à classe 10 de velocidade (20 MB/s de leitura e 10 MB/s de escrita). Graças à alta tecnologia empregada no design e no controlador, os níveis de confiabilidade dos novos chips também aumentaram.
Atualmente a Samsung está enviando amostras de cartões SD feitos sob tecnologia de 20 nm a alguns clientes, e a produção deverá expandir (e chegar ao comércio) no final deste ano. Os novos cartões de memória deverão ser disponibilizados na faixa entre 4 e 64 GB, e por enquanto preços e formatos específicos (microSD, mini-SD, SDXC, etc.) não foram anunciados.