A Samsung anunciou nesta semana que é a primeira empresa a lançar para a indústria memórias de alta densidade para servidores. A memória DDR3 fabricada sob processo de 40 nm duplica o marco anterior de capacidade mais alta, de 16 para 32 GB, consumindo a mesma quantidade de energia. Os chips DDR3 de quatro gigabits representam um grande avanço na área, visto que em março de 2009 a Samsung havia lançado módulos RDIMM de 2 Gb, com 16 GB e 50 nm.
O novo módulo de memória é feito a partir de 36 chips DDR3 de encapsulamento duplo, e servidores com 2 CPUs poderão suportar um sistema com até 384 GB de RAM. Antigamente, o máximo que se podia alcançar era 192 GB, entretanto a diminuição do consumo neste caso é de menos de 5%. Ao mesmo passo, 1066 Mbps ao invés de 800 Mbps significa velocidades maiores, e a instalação de seis módulos de 32 GB ao invés de 12 de 16 GB garante diminuição de 40% no consumo de energia.
A produção em massa da memória de 32 GB e 40 nm para servidores deverá se iniciar em abril. A Samsung planeja lançar memórias de 30 nm para PCs e servidores no segundo semestre deste ano.
