Pesquisadores japoneses criam ‘memória flash orgânica’

Pesquisadores da Universidade de Tóquio desenvolveram a chamada “memória flash orgânica”, que possui a mesma estrutura básica da memória flash convencional, mas é feita inteiramente de materiais orgânicos. Suas tensões de apagamento e leitura são baixos, classificados nos 6 Volts e 1 Volt, respectivamente, e os dados podem ser gravados e apagados mais de 1000 vezes.

Dentre as utilizações esperadas para a nova tecnologia, incluem sensores de grande área, e-papers e outros grandes eletrônicos. Mas um ponto ainda precisa ser amadurecido para a novidade ser empregada em larga escala: a memória flash orgânica consegue reter os dados por apenas um dia.

O protótipo usa uma folha de resina de naftalato de polietileno (polyethylene naphthalate – PEN) como substrato, com um arranjo de 26 x 26 células de memória, no esquema “2T”. A folha é flexível o suficiente para ser dobrada até chegar a um raio de 6 milímetros, sem causar danos.

O aumento da retenção dos dados pode ser feito através da redução do tamanho do elemento e da implantação de uma monocamada automontada (self-assembled monolayer – SAM) de cadeia maior. A SAM, que desempenha o papel de filme isolante, é produzida com ácido fosfórico (phosphoric acid) e uma cadeia de alquilo (alkyl chain), em adição ao AlOx. No protótipo, a SAM possui somente 2 nanômetros de espessura.

A tecnologia foi desenvolvida por um grupo liderado por Takeo Someya e Tsuyoshi Sekitani, professores e pesquisadores associados ao Departamento de Engenharia Elétrica e Sistemas de Informação, da Escola de Engenharia, Universidade de Tóquio. Não há previsão para produção em larga escala.

Fontes:

https://techon.nikkeibp.co.jp

https://www.electronista.com

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Esta postagem foi modificada pela última vez em 17/12/2009 20:20

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