Cientistas das Universidades Rice e do Estado da Carolina do Norte, nos EUA, desenvolveram uma nova técnica de produção de semicondutores que poderia fazer uma empresa como a Intel “ultrapassar os limites atuais da Lei de Moore, fazendo microprocessadores menores e mais poderosos.” A descoberta fornece soluções aprimoradas para contornar os limites do “doping”, o ato de introduzir impurezas no silício.
O professor James Tour, explica à fonte: “o trabalho sugere que o enxerto de uma monocamada molecular – basicamente, anexando moléculas à superfície do silício, em vez de misturá-los – executa essencialmente a mesma função da dopagem, mas funciona melhor em escala nanométrica.”
James ainda afirma que as grandes empresas mundiais que produzem chips, como a Intel e a Samsung, terão uma outra ferramenta para sua produção, e garante que as companhias tentarão ao menos. Infelizmente, o artigo só está disponível para quem possui uma assinatura do “American Chemical Society”, mas se você acessar a partir da rede de uma universidade pública, como a USP, certamente conseguirá visualizar.
Fonte:
https://techreport.com/discussions.x/17276
Anúncio:
https://www.media.rice.edu/media/NewsBot.asp?MODE=VIEW&ID=12842&SnID=1884038224
Artigo:
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja9002537
