Os laboratórias da Fujitsu anunciaram uma nova atualização para a tecnologia ReRAM, abreviação de “Resistive RAM”, uma memória não-volátil com baixo consumo de energia. A empresa trabalhou sobre várias barreiras e limitações do padrão.
ReRAM é uma forma de memória dependente de determinado material que, quando é aplicada uma voltagem, altera a resistência. De acordo com a Fujisu, a ReRAM pode ser criada em formatos bem minúsculos, permitindo com que futuros projetos usem-o. Além disso, possui um baixo custo de produção, tornando possível de ser uma tecnologia de grande sucesso daqui alguns anos, uma alternativa viável para as memórias flash, já que a ReRAM com esta atualização perdeu uma série de limitações e ganhou vários outros recursos, como a questão de consumo, tamanho, material, capacidade e ciclos de gravação.
A Fujisu apresentou a solução no “International Electron Devices Meeting”, neste dia 10 em Washington. Vale lembrar que a empresa desenvolve esta tecnologia há anos.
Veja mais em:
https://www.tomshardware.com/2007/12/14/fujitsu_advances_reram/
Esta postagem foi modificada pela última vez em 02/06/2009 22:26