Samsung planeja começar a produção em massa de chips de 3 nanômetros em 2021

Samsung planeja começar a produção em massa de chips de 3 nanômetros em 2021

A sul-coreana Samsung compartilhou os planos para iniciar a produção em massa de chips baseados em 3 nm com um novo tipo de transistores GAAFET (gate-around-around FET) em 2021.

A tecnologia GAAFET foi desenvolvida pela Samsung e outras empresas desde o início dos anos 2000. Ele permite superar as limitações do FinFET (transistor de efeito de campo da aleta) devido à sua arquitetura. Nos transistores GAAFET, os canais são feitos na forma de nanofios redondos dispostos horizontalmente ou verticalmente. O obturador envolve esse canal por todos os lados. A nova tecnologia também permitirá operar com tensões mais baixas do que agora, embora não tenham detalhado exatamente quanto essa melhoria na eficiência energética será traduzida.

Além disso, a Samsung está liderando em termos de introdução de um processo de 7nm baseado em litografia ultravioleta (EUV). A empresa iniciou o teste de produção de 7-nm EUV no final de 2018, e a produção em massa poderia se desdobrar no segundo semestre. De acordo com informações não confirmadas, a NVIDIA está seriamente interessada nesta tecnologia para a produção de chips gráficos de última geração.

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Editor-chefe no Hardware.com.br, aficionado por tecnologias que realmente funcionam. Segue lá no Insta: @plazawilliam Elogios, críticas e sugestões de pauta: william@hardware.com.br
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