Tentando oferecer concorrência à Intel, Micron e Samsung, a Toshiba anunciou um novo empreendimento para construir uma linha de produção de chips de memória flash avançados, que serão produzidos sob uma tecnologia bem miniaturizada. A empresa produz atualmente chips de memória a 32 nm e 43 nm, mas o plano agora é iniciar o desenvolvimento de chips abaixo dos 29 nm, oferecendo assim ao mercado maiores capacidades de armazenamento em um determinado volume.
Segundo um porta-voz da empresa, a segunda maior fabricante de memórias flash NAND do mundo já encomendou equipamentos de produção da holandesa ASML, que usará litografia baseada em raios ultravioleta extremos (EUV), e investirá cerca de 160 milhões de dólares neste projeto, em 2010. O porta-voz disse ainda que a Toshiba pretende iniciar a produção de memórias flahs NAND sob técnicas entre 20 e 29 nanômetros no segundo semestre deste ano, mas ainda não se sabe se os primeiros serão menores ou maiores que 25 nm. Segundo fontes, as memórias de 20 nm seriam produzidas comercialmente em meados de 2012.
O anúncio chega dois meses depois da empresa joint-venture da Intel e Micron, a IM Flash Technologies, revelar memórias de 25 nm. Além de permitir capacidades cada vez maiores e menor consumo de energia, essa miniaturização da tecnologia de memórias faz os preços das atuais caírem sensivelmente.
