Diferentemente do que temos nos processadores, onde a miniaturização dos circuitos resulta em transistores mais rápidos e que consomem menos energia, a miniaturização da memória Flash tem trazido mais problemas do que soluções, devido às peculiaridades de operação das células. O principal problema é que as células de memória Flash demandam sempre o uso de alta tensão para serem reprogramadas, e esta tensão elevada causa um pequeno desgaste na célula cada vez que a operação é repetida, até o ponto em que a célula não funciona mais confiavelmente.
A tensão necessária não decai proporcionalmente conforme as células são encolhidas, permanecendo sempre praticamente a mesma. Isso faz com que a cada nova geração acabe-se sendo necessário aplicar praticamente a mesma tensão em uma célula progressivamente menor. Como resultado, o dano causado a cada ciclo se torna cada vez maior, fazendo com que a célula suporte cada vez menos ciclos. Uma célula de 90nm pode não ter grandes problemas em suportar os 14 ou 16 volts necessários, mas uma frágil célula de 25 ou 20 nm é rapidamente danificada pelo processo.
Juntamente com a redução na durabilidade, cada nova geração têm trazido uma pequena redução na performance (especialmente na taxa de escrita, devido a um aumento no tempo de reprogramação das células), mas esta redução não têm sido tão pronunciada e têm sido compensada por avanços nos controladores. O grande problema neste aspecto têm sido o uso de múltiplos bits por célula.
