A sul-coreana Samsung anunciou que iniciou a produção em massa de um chip eUFS 2.1 de 1 TB de capacidade. Isso significa, nada mais nada menos, que começaremos a ver smartphones com essa capacidade de armazenamento interno. A primeira vez que a Samsung falou de 1 TB de armazenamento para smartphones foi com o lançamento do Galaxy Note 9, que pode ter até 512 GB interno e ainda pode receber mais 512 GB via cartão SD.
“A expectativa é de que o eUFS de 1 TB desempenhe um papel crítico na oferta de uma experiência de usuário mais semelhante à de um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis”, comentou Cheol Choi, vice-presidente executivo de Marketging & Comércio de Memórias da Samsung.
Para alcançar tal capacidade, o dobro em relação ao 512 GB anunciados pela companhia em 2017, foram combinados 16 camadas de memória Flash V-NAND de Gigabits (Gb). A velocidade máxima teórica também recebeu um salto de 38% em relação à versão de 512 GB. O novo chip alcança 1 GB/s de velocidade sequencial e 260 MB/s de gravação sequencial. Além de 58.000 IOP e 50.000 IOPS em leitura e escrita aleatórias, respectivamente.
/@/static/wp/2019/01/30/samsung-1-tb-depolama-alani-samsung-galaxy-s10-tb-depolama-alani-shiftdelete-2.jpg "Smartphones com 1 TB de espaço interno é uma realidade, conheça o novo chip da Samsung 1")
Aparelhos equipados com o novo chip podem armazenar 260 vídeos em 4K com 10 minutos de duração, e com o desempenho entregue pela memória é possível ler um vídeo de 5 GB em Full HD em cinco segundos.
No dia 20 de fevereiro a Samsung irá revelar a família Galaxy S10, que de acordo com rumores terá três versões. A mais robusta, que inclusive teria compatibilidade com 5G, seria equipada com essa nova unidade de armazenamento.
