A Samsung anunciou o desenvolvimento de um módulo de memória de 8 GB, do tipo RDIMM (registered dual inline memory module), baseada em sua tecnologia Green DRAM DDR3. Segundo a Samsung, o chip acaba de completar os testes de hardware com sucesso, junto aos seus parceiros.
O projeto proporciona novos níveis de performance devido à incorporação de uma tecnologia de empilhamento tridimensional chamado de TSV, ou “through silicon via”. Esta técnica permite um aumento na densidade da memória em 50%.
O novo módulo de memória é fabricado usando o processo de 40 nm, e ganha a credencial “green”, de “verde”, porque consome até 40% menos energia que as memórias RDIMM convencionais. O chip é projetado para uso em servidores de alta performance, e é esperado que seja amplamente adotado a partir de 2012.