A Samsung anunciou hoje a primeira a produzir no mundo memórias NAND flash 64 gigabits de de 3 bits por célula, usando a técnica de 20 nanômetros. Os novos chips possuem um nível de produtividade 60% maior que os irmãos mais velhos de 30 nm, oferecendo um melhor desempenho através das especificações Toggle Double Data Rate (DDR) 1.0, já que os de 30 nm usavam Single Data Rate (SDR).
A coreana produz cerca de 40% de todos os chips flash no mundo, e espera que a disponibilidade da densidade de dados de 8 GB (ou 64 Gb) por chip acarretará na aceitação generalizada de flahs DDR de alto desempenho em pendrives e cartões SD, bem como smartphones e SSDs, substituindo os dispositivos de 32 Gb/chip que estão no mercado desde abril.
Seijin Kim, vice-presidente da divisão Flash da Samsung, disse em uma declaração que “a Samsung tem repetidamente fornecido ao mercado soluções flash NAND de ponta, incluindo a introdução dos chips de 32 Gb, 3 bits e 30 nm em novembro do ano passado. Mas agora entrando em plena produção dos dispositivos de 64 Gb, 3 bits e 20 nm, esperamos acelerar a adoção de nossas soluções NAND de alta performance que usam tecnologia Toggle DDR, para aplicações que exigem também [memória] NAND de alta densidade.”
