Institutos de pesquisa russos anunciaram nesta semana o desenvolvimento de sistemas próprios para fabricação de chips em processo de 65 nanômetros. O feito marca um avanço na busca por autonomia tecnológica do país, mas revela um gap de duas décadas em relação aos líderes globais do setor.
Segundo reportagem do jornal Vedomosti, os institutos NIIME e NIITM, ligados ao grupo Element, criaram equipamentos de deposição química por plasma (PVD) e corrosão química por plasma (etching) capazes de processar wafers de silício de 200 e 300 mm. A tecnologia é fundamental para a produção de circuitos integrados e coloca a Rússia entre as cinco organizações no mundo com essa competência, segundo a própria empresa.
Tecnologia de 2004 ganha vida em 2025
O processo de 65 nm foi introduzido pela Intel em 2004, com produção em massa iniciada em 2006. Processadores como Pentium 4 Cedar Mill, Core e Core 2 Duo foram fabricados nessa escala. Hoje, gigantes como TSMC e Samsung já operam em 3 nm, com o nó de 2 nm em desenvolvimento.
A diferença temporal é significativa, mas o processo de 65 nm ainda tem aplicações práticas. Controladores simples, sensores, componentes automotivos e dispositivos de Internet das Coisas não exigem a densidade extrema dos chips mais avançados. Para a Rússia, dominar essa tecnologia representa capacidade de produzir localmente componentes para setores estratégicos.
Infraestrutura e capacidade nacional
O NIIME foi responsável pela construção de salas limpas, instalação de protótipos e desenvolvimento de processos tecnológicos. O NIITM desenhou o equipamento e participou dos testes. Segundo Vasily Shpak, vice-ministro da Indústria e Comércio russo, os sistemas atendem necessidades atuais da microeletrônica nacional.
“A arquitetura modular da plataforma permite implementar novos processos em linhas de produção existentes e serve como base para migração futura para normas tecnológicas mais avançadas”, afirmou Shpak.
Os equipamentos são compatíveis com fábricas que utilizam wafers de 200 mm, tanto existentes quanto futuras. Alexander Kravtsov, diretor-geral do NIIME, e Mikhail Biryukov, diretor-geral do NIITM, classificaram o desenvolvimento como passo crucial para a independência tecnológica russa.
Orçamento apertado compromete avanços
O anúncio acontece em meio a cortes severos no financiamento do setor. Shpak revelou em novembro que o programa federal de desenvolvimento da indústria eletrônica está subfinanciado em 33,1 bilhões de rublos (cerca de R$ 1,8 bilhão).
Em 2024, dos 43,3 bilhões de rublos planejados, apenas 23,7 bilhões foram liberados. Em 2025, a situação piorou: 15,7 bilhões contra os 40 bilhões previstos. O resultado é um atraso de mais de 60 projetos de pesquisa e desenvolvimento até o fim deste ano.
Para os próximos anos, o orçamento prevê 30 bilhões de rublos em 2026 e 25 bilhões anuais em 2027 e 2028 — valores que indicam estagnação no ritmo de investimentos.
Contexto geopolítico e isolamento tecnológico
As sanções internacionais impostas à Rússia após 2022 cortaram o acesso a equipamentos de ponta de fabricantes como ASML, Applied Materials e Lam Research. Sem essas ferramentas, o país precisou recorrer ao desenvolvimento interno para manter algum nível de capacidade produtiva.
O domínio do processo de 65 nm representa autonomia estratégica para setores como defesa, infraestrutura crítica e sistemas embarcados. Mas a distância tecnológica em relação aos líderes globais permanece enorme. Enquanto a Rússia consolida tecnologia de 2004, Taiwan, Coreia do Sul e Estados Unidos disputam liderança em processos sub-5 nm.
A diferença de desempenho, eficiência energética e densidade de transistores entre 65 nm e 3 nm é de várias ordens de grandeza. Em termos práticos, isso significa que os chips russos não conseguirão competir em aplicações de alta performance, como smartphones, servidores ou inteligência artificial.
Esta postagem foi modificada pela última vez em 11/12/2025 11:59