A fabricante de chips Micron revelou uma nova tecnologia de memória híbrida, que alega oferecer um aumento de desempenho cerca de 20 vezes maior que os atuais chips atualmente usados em computadores pessoais, ao mesmo passo reduzindo o tamanho do chip e consumindo cerca de um décimo de energia. Em uma entrevista à CNet, a empresa disse que seu desenvolvimento quebra um problema antigo conhecido como “muro da memória”, oferecendo então uma “quantidade incrível de largura de banda DRAM diretamente ao processador”.
Em suma, a performance DRAM hoje em dia é limitada pela capacidade do canal de dados que fica entre a memória e o processador. Este canal muitas vezes se torna um ponto de estrangulamento para os dados, não importando o quão rápido é o chip de memória, fato que foi revelado pela recente e lenta transição da DDR2 para DDR3, já que fabricantes de desktops e notebooks não viam na prática grandes melhorias que justificassem o avanço.
Ainda não há muitos detalhes técnicos neste momento, mas parece que a Micron está usando os novos conhecimentos em arquitetura em memória após aquisição da Numonix no ano passado, para então empilhar várias camadas de memória umas sobre as outras, acrescentando ainda um chip controlador acima do substrato, significando que a memória será mais compacta e densa que os padrões atuais.
A empresa espera ver sua tecnologia “Hybrid Memory Cube”, ou “cubo de memória híbrida” nos mercados de servidores e redes em 2012, com volumes significantes sendo vendidos em 2013. Já no mercado consumidor, a esperança é que a novidade chegue em 2015.
