A sul-coreana Samsung avançou mais uma grande etapa na produção de memórias DDR4, a companhia anunciou a produção em massa de chips baseados em 10 nm. Com esse novo feito a companhia conseguirá colocar no mercado módulos com ainda mais performance e eficiência energética. Duas palavrinhas que quando caminham junto alegram qualquer usuário.
A produção em 10nm é um recorde para a industria e para a própria Samsung que em 2014 lançou seus módulos com 4GB baseados no processo de 20 nm. As novas opções que serão fabricadas em massa contam com 8 GB e processo baseado na litografia de 10nm, alcançada graças a um sistema por imersão em fluoreto de argônio com molde quádruplo. (esse sistema é chamado de QPT = Quadruple Patterning Technology).
Samsung é a primeira companhia a produzir memórias DRAM baseadas em 10nm
Em termos de ganho de performance e eficiência energética a Samsung diz essas novas memórias serão capazes de alcançar taxas de transferência de 3.200 Mbps (megabits por segundo), 30% mais rápido que os módulos baseados em 20nm (2.4 Mbps). Já em relação ao consumo de energia, graças aos 10nm será possível uma redução entre 10% a 30% em relação as opções de 20nm.
Ainda não há previsão para que os novos módulos cheguem ao mercado, e por enquanto está restrito ao mercado de PCs, porém futuramente a companhia com certeza também implementará no setor mobile.
Fonte(s): Samsung
Siga-me no Twitter: @WRPlaza 🙂
