Em outubro a Samsung anunciou a primeira memória RAM LPDDR4 com 8 GB de capacidade voltada para dispositivos móveis, como smartphones e tablets, porém no caso da sul-coreana esses módulos devem aparecer somente em dispositivos de ponta, até porque essas memórias da Samsung são high-end em todos os sentidos: processo de fabricação em 10nm, e frequências que podem alcançar 4266 Mhz.
É aí que aparece a SK Hynix, que anunciou que também está trabalhando em módulos LPDDR4 de 8 GB. Know-how é o que não falta para a Hynix, a companhia é a segunda maior fabricantes de chips do mundo (atrás apenas da Samsung) e a quinta maior no mercado de semicondutores.
No caso da RAM da SK Hynix o campo de atuação será diferente, a meta é colocar no mercado smartphones intermediários e de entrada com essa grande quantidade de memória. Para tornar isso viável o processo de fabricação será de 21nm e a frequência máxima alcançada será de 3733 Mhz, com 4 módulos de 2 GB cada. A largura de banda será de até 29,8 Gbps.
A expectativa é que os primeiros smartphones com 8 GB de RAM sejam lançados em meados de 2017
