O processo, dirigido pelo professor Jagdish Narayan, do departamento de ciência e engenharia, envolve um “dopping seletivo”, que é quando uma impureza é adicionada a um material com o propósito de alterar suas propriedades. Neste caso, a alteração melhora o material e o faz armazenar mais dados: níquel foi adicionado à cerâmica, resultando em um aglomerado de átomos de níquel de 10 nanômetros quadrado, podendo então suportar até 10 trilhões de bits por polegada quadrada.
E isso não é apenas um protótipo isolado; a produção em larga escala poderá se iniciar em um ou dois anos, dependendo em suma apenas de interessados. O melhor é que o processo não será significantemente mais caro que a atual produção de memória:
“Em vez de fazer um chip que armazene 20 gigabytes, criamos um protótipo [potencialmente] capaz de lidar com um terabyte. Ainda não dimensionamos os cálculos, mas a produção para fins comerciais não deve sair muito mais cara. O mais importante é encontrarmos alguém que inicie o processo de fabricação em larga escala.”
Fonte:
https://www.geek.com/articles/news/engineers-discover-new-memory-te…
Veja mais:
https://www.wired.com/gadgetlab/2009/10/super-sized-memory-storage/