O desenvolvimento tecnológico da Intel continua a todo vapor. Ao mesmo passo em que a companhia prepara para iniciar as vendas dos processadores de 32 nm, e já desenvolve sua próxima geração, os Sandy de 32 nm, a empresa também está dando duro na técnica de 22 nm high-k metal gate. Durante a Intel Developer Forum, em São Francisco nos EUA, o CEO Paul Otellini demonstrou os primeiros chips do mundo, produzidos sob técnica de 22 nm, a funcionarem corretamente.
Ainda não há um processador previsto que se baseie nesta arquitetura, mas a Intel inclusive já começou a construir a memória SRAM e circuitos lógicos para testar o processo. O die abriga um conjunto de 2,9 bilhões de transístores, includindo células SRAM com ‘pegadas’ de 0,108 e 0,092 ?m² As células maiores são, segundo a Intel, “otimizadas para operações em baixa voltagem”, enquanto as menores são voltadas para alta densidade. A empresa afirma que seu projeto de 0,092 ?m² é a menor célula SRAM em funcionamento já existente.
Fontes:
https://techreport.com/discussions.x/17632
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Esta postagem foi modificada pela última vez em 23/09/2009 18:58