A SanDisk, em colaboração com a Toshiba, anunciou durante a “International Solid-State Circuits Conference” sua última tecnologia em memória RAM, que combina os processos de fabricação X3 e de 32 nanômetros. A célula NAND multi-nível (multi-level cell NAND) foi desenvolvida para oferecer 32 Gb de capacidade com três bits de memória por célula, tudo em um pequeno empacotamento que cabe em um cartão microSD.
A companhia alega que as memórias X3 de 32 Gb e 32 nm oferecerão o microSD de maior densidade já criado, duplicando a capacidade de um chip microSD que utiliza a tecnologia 43 nm. O uso de cartões de memória microSD aumentou muito ultimamente, em proporção ao aumento de vendas de smartphones, celulares e tocadores, já que a maioria oferece suporte ao cartão de expansão.
As duas empresas planejam lançar em breve uma outra memória flahs NAND ultra-densa, denominada X4. A tecnologia usa um novo controlador de memória e instala 4 bits de dados em cada célula, mantendo a transferência a 7,8 MB por segundo. Os componentes permitem capacidades de até 64 GB, duplicando o tamanho do pacote de 32 GB que ela começou a produzir no final do ano passado.
A companhia pretende iniciar a produção dos chips X3 de 32 nm e 32 Gb no segundo semestre deste ano. Não foram mencionadas quais empresas estaria interessadas, mas vale lembrar que a Toshiba fornece componentes de memória para a Apple, para uso no iPhone e iPod Touch.
Fonte:
https://www.electronista.com/articles/09/02/10/sandisk.32nm.x3.flash/
