A Samsung anunciou na tarde desta quarta-feira que desenvolveu o primeiro chip DDR3 SDRAM de 4 Gibabits. O chip é construído sob um processo de fabricação ultra denso de 50 nanômetros, e permitirá o uso de 8 GB de RAM em uma simples plaqueta de memória para notebooks, duas vezes o que é possível hoje. A tecnologia permite chegar ao mesmo nível nos desktops, bem como 16 GB em memórias duplas utilizadas em servidores e workstations.
O menor processo de produção também diminui o desperdício de energia e calor, tornando o chip mais eficiente do que as memórias DDR3 regulares. A Samsung também estima que a nova tecnologia economiza até 20% de energia em um típico pente de 2 Gigabits, bem como 40% em um pente de 16 GB. Com um único chip, a velocidade também é maior, chegando aos 1,6 GB por segundo.
A Samsung não afirmou quando iniciará a produção em massa da nova memória, valendo lembrar que em setembro de 2008 ela atingiu os 2 Gb com a técnica de 50 nm.
Fontes:
https://www.electronista.com/articles/09/01/28/samsung.4gb.ddr3.chip/
https://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/dram/Products_DDR3SDRAM.html
Esta postagem foi modificada pela última vez em 02/06/2009 22:26