A Toshiba anunciou chips de memória flash mais rápidos e de densidade superior, fabricados sob um novo processo de produção de 43 nm. A memória NAND flash single-level cell (SLC), ou célula de nível simples, estará disponível sob capacidades individuais de 2, 4 e 8 GB. O processo de 43 nm permite à empresa duplicar a densidade de seu processo anterior, de 56 nm, enquanto naturalmente aumenta a velocidade, 2,5 vezes maior que a comum memória de célula multi-nível (MLC).
Os novos chipsets foram desenvolvidos para serem instalados em dispositivos portáteis, que necessitam de memória rápida, como smartphones, telas HDTV e servidores, bem como dispositivos de áudio e vídeo.
A novidade chegará ao mercado no primeiro trimestre de 2009. A Toshiba não disse quem já encomendou as memórias, além da própria empresa e da Apple. Vale lembrar que, se combinados vários chips, eles poderão chegar a mais de 16 GB, dependendo do hardware a ser instalado.
Fonte:
https://www.electronista.com/articles/08/10/28/43nm.slc.chips.announced/
