A IBM fez o anúncio nesta semana a menor célula de memória SRAM (memória de acesso randômico estática) já construída – utilizando o processo de manufaturação de 22 nanômetros. A célula usa seis transístores, baseado no projeto original, ocupando uma área de 0,1 micrômetro quadrado.
Entre as parceiras da IBM nesta novidade, estão a AMD, Toshiba, Freescale, STMicroelectronics e diversas outras empresas e laboratórios de universidades. Os chips de memória do tipo SRAM são precursores de circuitos ainda mais complexos, como os processadores. Segundo o site Inovação Tecnológica, como a IBM tem o foco de deixar a tecnologia viável para produção industrial, “a demonstração da nova célula SRAM foi feita utilizando pastilhas de silício de 300 milímetros, com as atualmente utilizadas pela indústria”.
Antes desse marco, a Intel detinha o “recorde” produzindo chips viáveis comercialmente a 32 nm, um ano atrás, contudo, não havia ainda demonstrado nada menor. E, como a AMD foi parceira no experimento da IBM, pode ser que ela leve alguma vantagem na frente da concorrente Intel. Vale lembrar que atualmente a AMD se encontra atrás da Intel no ramo de tecnologia de manufaturação, visto que a transição para o processo de produção de 45 nm está planejada para ser completada no final deste ano.
Fontes:
https://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artig…
