Um novo tipo de memória flash está sendo desenvolvido por pesquisadores japoneses, no National Institute of Advanced Industrial Science and Technology da Universidade de Tóquio. Segundo eles, o novo chip poderia durar até 10 mil vezes mais do que os atuais, garantindo centenas e centenas de anos. Ainda seriam menores, e consumiriam menos energia.
Os chips de memória flash atuais têm uma vida útil de cerca de 10 anos, e podem ser reescritos umas 10 mil vezes (variando na prática de fabricante para fabricante). Podem durar muito mais tempo quando não há muitas operações, especialmente de escrita. Eles são desenvolvidos com base em circuitos de 20 nm, por questões de durabilidade. A próxima geração beira os 30 nm. Já o protótipo ferroelétrico de memória flash NAND que os cientistas estão desenvolvendo é escalado a 10 nm, e está em estágio inicial de desenvolvimento.
Parte da razão deles durarem mais é que a voltagem usada para regravação é de menos de 6 volts, enquanto que nos atuais usa-se cerca de 20 volts para essa tarefa. A tecnologia também usa um processo de nivelamento, garantindo o uso por igual das células, e as que se desgastam seriam reformadas, permitindo manter em teoria a mesma capacidade e usabilidade ao longo do tempo.
A memória flash, diferentemente dos discos rígidos, pode ser muito pequena e resistente a impactos, já que não tem partes móveis. Pela mesma razão, acaba sendo mais rápida. É usada em diversos dispositivos, como pen drives, celulares, cartões de memória, câmeras, alguns notebooks e em uma série de equipamentos que precisam de um software (firmware).
Fontes:
https://www.vnunet.com/vnunet/news/2221522/flash-chip-long-life-created
https://www.electronista.com/articles/08/07/16/long.life.flash.memory/
