Weixiao Huang, estudante do Instituto Politécnico Rensselaer, nos Estados Unidos, fez várias descobertas consecutivas momentos antes da entrega de seu título de Doutor. O estudante, após uma série de pesquisas e projetos, vinha procurando desenvolver uma alternativa concreta ao transístor de silício, fato que ele acabou conseguindo depois publicar 15 artigos científicos sobre o tema.
A notícia “Estudante inventa alternativa aos transistores de silício”, postada no site “Inovação Tecnológica” explica a situação:
“Agora, sendo possível ver o “conjunto da obra” de Huang, percebe-se que seus pequenos avanços incrementais resultaram em um descoberta muito significativa.
O ainda quase-doutor Huang – a recepção oficial do título será no próximo sábado, dia 17 – desenvolveu um novo transístor à base de nitreto de gálio (GaN), um material que permitiu a construção de um transístor com menor consumo de energia e maior eficiência em aplicações de eletrônica de potência.”
Veja a notícia original em:
https://www.inovacaotecnologica.com.br
Esta postagem foi modificada pela última vez em 02/06/2009 22:26