A Samsung anunciou a produção da primeira memória Flash NAND do mundo a ser fabricada usando o processo de 30 nanômetros, prometendo então um grande aumento na densidade de dados com relação aos atuais chips.
Na alta capacidade, estará o modelo “multi-level cell (MLC)”, célula multi-nível, que combinará chips de 64 gigabits para criar então um armazenamento de 128 GB, ou seja, 32000 músicas ou 80 filmes inteiros de alta definição (qualidade de DVD), de acordo com a Samsung. Já o método “single-level cell (SLC)”, célula de nível simples, serão combinados chips de 32 gigabits, para capacidade de 64 GB, porém com maior velocidade. Além disso, por redução também no tamanho material das capacidades atuais, as memórias tendem a cair de preço.
A empresa espera comercializar as memórias de 128 GB por volta de 2009, não mencionando quais dispositivos ela focará. Vale lembrar que os chips de 64 e 32 Gb serão destinados a diferentes produtos. Se o prazo estimado for cumprido, será um grande pulo em capacidade de tocadores como os iPods da Apple e os ZENs da Creative, que demoraram cerca de dois anos para chegarem aos 16 GB.
Veja mais em:
https://www.electronista.com/articles/07/10/23/samsung.30nm.flash/
Esta postagem foi modificada pela última vez em 02/06/2009 22:26