Samsung inicia desenvolvimento de nova geração de DRAMs

A Samsung Eletronics está desenvolvendo uma nova tecnologia que otimiza e reduz o consumo de energia ao mesmo tempo em memórias DRAM. A novidade se chama “Through Silicon Via” (TSV).

Segundo a empresa, a as memórias com a tecnologia TSV serão uma “nova geração”, garantindo “menor tamanho, maior velocidade e maior densidade”, atingindo velocidade de 1.6 Gb/s e total compatibilidade com outros pentes. As melhorias obtidas paras as memórias RAM também poderão ser utilizadas futuramente em outros tipos de armazenamentos de dados, como a memória Flash.

Métodos mais avançados estão aumentando significantemente os requerimentos para memórias rápidas e e de alta densidade. “A nova tecnologia da Samgung vem suprir essa necessidade”, estando disponível a partir de 2010.

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