A Hynix Semiconductor e a SanDisk Corporation anunciaram um acordo de patentes que engloba componentes de memória flash, evitando uma futura briga sobre propriedades intelectuais. As duas empresas se unirão num joint-venture para fabricarem peças de memórias e venda de soluções baseadas na tecnologia NAND, envolvendo investimentos de ambas as companhias na expansão da capacidade de produção na Coréia do Sul.
As duas primeiramente vão se cooperar no desenvolvimento de tecnologias, incluindo a x4, permitindo que cada célula de memória segure quatro bits de informações, ajudando a baixar os preços. A Hynix estava trabalhando atualmente o x4 com a M-Systems, uma companhia comprada pela SanDisk por 1,5 bilhões de dólares em novembro de 2006. Outros termos do acordo são confidenciais.
O. C. Kwon, vice-presidente da Hynix, disse à imprensa que “Nós estamos aguardando a conclusão de forma sucedida com a SanDisk num caminho que beneficie os consumidores e acionistas das duas companhias. Com os acordos de patentes, nós poderemos jogar fora distrações e focar as atenções para uma promissora relação de desenvolvimento da tecnologia x4. Nós olhamos para frente construindo relações benéficas mutualmente para as companhias”
A DailyTech ainda disse que a Hynix e a Toshiba encerraram sua ‘rixa’ sobre os NAND flash e memórias DRAM por mais de dois anos, assinando acordos de compartilhamento de patentes e tecnologias. Como parte do tratado, a Hynix pagará royalties para usar as patentes de eletrônicos da empresa japonesa, enquanto esta comprará alguns produtos da fabricante de memórias sul-coreana.
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