Samsung anuncia SSD com sexta geração de chips V-Nand

A sul-coreana Samsung apresentou seu primeiro SSD com a sexta geração de chips de memória Flash V-Nand (forma da companhia se referir aos chips de memória NAND 3D). A arquitetura dessa nova geração dos chips de memória envolve 100 camadas, e, de acordo com a fabricante, promete entregar 10% mais performance com redução de 15% no consumo energético.

Em relação da quantidade de bits por célula, os chips de memória são da categoria TLC (três bits por célula). Desde 2013 a Samsung aposta em seus chips V-NAND. Da quinta para sexta geração a companhia precisou apenas de 13 meses.

Num primeiro momento será colocado no mercado apenas um modelo em termos de capacidade – com 256 GB. Futuramente a Samsung também uma variante com 512 GB. Uma da vantagens de utilizar chips de memória NAND 3D nesse esquema de empilhamento de camadas é poder ampliar o leque de opções de capacidade de armazenamento das unidades que chegam ao mercado. A Samsung é a primeira a utilizar esse processo de empilhamento superior a 100 camadas (estrutura de 136 camadas), e pretende ir além. No futuro a gigante dos semicondutores irá apostar em SSDs com 300 camadas.

“Ao incorporar tecnologias de ponta de memória 3D em modelos de produção em massa, podemos introduzir uma gama de memória significativamente mais rápida e com maior eficiência energética”, disse Kye Hyun Kyung, vice-presidente de memória flash e tecnologia da Samsung Electronics. “Ao encurtar o ciclo de desenvolvimento de produtos V-NAND da próxima geração, planejamos expandir ativamente o mercado para nossas soluções de alta velocidade e alto desempenho baseadas em V-NAND de 512 gigabits”, conclui o executivo.

Preço e disponibilidade

O primeiro SSD da Samsung equipado com chips de memória V-NAND de sexta geração chegará ao mercado no segundo semestre do ano. Ainda este ano a companhia também lançará chips de armazenamento eUFS (para dispositivos móveis), baseados também na sexta geração V-NAND.

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