A sul-coreana Samsung apresentou seu primeiro SSD com a sexta geração de chips de memória Flash V-Nand (forma da companhia se referir aos chips de memória NAND 3D). A arquitetura dessa nova geração dos chips de memória envolve 100 camadas, e, de acordo com a fabricante, promete entregar 10% mais performance com redução de 15% no consumo energético.
Em relação da quantidade de bits por célula, os chips de memória são da categoria TLC (três bits por célula). Desde 2013 a Samsung aposta em seus chips V-NAND. Da quinta para sexta geração a companhia precisou apenas de 13 meses.
Num primeiro momento será colocado no mercado apenas um modelo em termos de capacidade – com 256 GB. Futuramente a Samsung também uma variante com 512 GB. Uma da vantagens de utilizar chips de memória NAND 3D nesse esquema de empilhamento de camadas é poder ampliar o leque de opções de capacidade de armazenamento das unidades que chegam ao mercado. A Samsung é a primeira a utilizar esse processo de empilhamento superior a 100 camadas (estrutura de 136 camadas), e pretende ir além. No futuro a gigante dos semicondutores irá apostar em SSDs com 300 camadas.
/@/static/wp/2019/08/06/ssd1.jpg "Samsung anuncia SSD com sexta geração de chips V-Nand 1")
“Ao incorporar tecnologias de ponta de memória 3D em modelos de produção em massa, podemos introduzir uma gama de memória significativamente mais rápida e com maior eficiência energética”, disse Kye Hyun Kyung, vice-presidente de memória flash e tecnologia da Samsung Electronics. “Ao encurtar o ciclo de desenvolvimento de produtos V-NAND da próxima geração, planejamos expandir ativamente o mercado para nossas soluções de alta velocidade e alto desempenho baseadas em V-NAND de 512 gigabits”, conclui o executivo.
Preço e disponibilidade
O primeiro SSD da Samsung equipado com chips de memória V-NAND de sexta geração chegará ao mercado no segundo semestre do ano. Ainda este ano a companhia também lançará chips de armazenamento eUFS (para dispositivos móveis), baseados também na sexta geração V-NAND.
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