Samsung confirma o desenvolvimento de chips de 8 GB LPDDR5 a 10 nm

A Samsung, empresa mais importante atualmente na fabricação de chips, anunciou o primeiro chip LPDRR5 (Low Power Double Data Rate de 5º geração) de 8 GB, baseado na litografia 10nm. A companhia que também foi a primeira a anunciar um chip LPDDR4, em 2014, diz que essa nova geração de memórias é destinada a impulsionar 5G e inteligência artificial. 

Com os chips LPDDR5 a Samsung promete que o consumo de energia é 30% menor quando comparado com a geração anterior. A taxa de transferência alcança 6.400MB/s – contra os 4.266 Mb/s do LPDDR4. A gigante-sul-coreana diz que com essa taxa de transferência é possível enviar  14 vídeos em resolução Full HD (1080p) por segundo (cada vídeo em média com 3,73 GB).

A largura de banda é dividida de duas formas:  6,4 Gb / s com tensão de alimentação de 1,1 volts e 5,5 Gb / s com 1,05 volts. O fabricante que adotará os módulos poderá determinar se quer favorecer velocidade ou potência. A taxa de 6400MB/s é alcançada em 1.1V, em 1,05V a Samsung garante 5500Mb/s.

“Este desenvolvimento de 8GB LPDDR5 representa um grande avanço para as soluções de memória móvel de baixo consumo de energia “, disse Jinman Han, vice-presidente sênior de planejamento de produtos de memória e engenharia de aplicação da Samsung Electronics. “Continuaremos a expandir nossa família DRAM de 10nm da próxima geração à medida que aceleramos o movimento em direção a uma maior utilização de memória premium no cenário global.”

Não veremos essa nova memória no Galaxy Note 9, que deve ser lançado em agosto. Provavelmente esses módulos serão aplicados no Galaxy S10 e Galaxy Note 10.

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