A Toshiba anunciou uma nova memória NAND flash (DDR) toggle-mode, em uma tentativa de melhorar as velocidades deste tipo de tecnologia. As novas células multi-nível (MLC) e de nível simples (SLC) de 32 nanômetros possuem uma interface muito mais rápida que o habitual, e pode transferir muito mais dados, mesmo se comparado a um chip SLC rápido para os padrões atuais. A memória DDR toggle-mode pode fazer até 133 milhões de transferências por segundo, quase mais de três vezes os convencionais 40 milhões por segundo dos SLCs atuais.
A nova tecnologia pode ao mesmo tempo diminuir o consumo de energia frente a outros chips voltados à performance. A memória pode ainda trabalhar de forma assíncrona assim como a maioria das memórias Flash, e não necessita de um clock alto para mantê-la transferindo os dados em suavidade. A Toshiba afirma que o desempenho pode ficar ainda mais rápido com uma segunda geração do recurso toggle-mode, chegando aos teóricos 400 milhões de transferências por segundo.
Ainda não foi dito pela empresa quando a memória chegará ao mercado, mas sabe-se que os módulos terão capacidades de 32, 64 e 128 Gigabits (4 GB, 8 GB e 16 GB). A empresa espera atingir segmentos que necessitam de alto desempenho com memórias flash, como SSDs, reprodutores de mídia, smartphones e tablets.
