Cientistas lançam nano-transístor 50 vezes mais rápido

Foi publicada recentemente uma notícia acerca do grafeno e os transístores de 0.01 micron:

Em 1965, Gordon Moore profetizou que o poder de processamento dos computadores dobraria a cada dois anos, impulsionado pela redução no tamanho dos transístores e no conseqüente aumento na freqüência de clock. Naturalmente, não se trata de vidência ou de nenhuma lei mística que misteriosamente se aplica aos transístores, mas sim de um simples modelo econômico sobre o qual a indústria de eletrônicos tem se baseado.

O futuro da lei de Moore ao que tudo indica reside no grafeno (graphene) um material abundante, que pode ser encontrado no grafite e em outros compostos de carbono. O grafeno é uma estrutura surpreendentemente estável e resistente.

Tendo em pauta a promessa do grafeno sendo um dos principais materiais ara fabricação de transístores no futuro, o site Inovação Tecnológica publicou uma interessante notícia sobre um grupo de cientistas da Suécia, que anunciaram a fabricação de um surpreendente nano-transístor que não é feito com materiais de fronteira, e sim com o arseneto de índio (InAs), liga semicondutora largamente utilizada na indústria. O nano-transístor tem cerca de 10 nanômetros, similar ao tamanho do de grafeno mostrado na notícia acima.

“Hoje os transistores são fabricados em um processo “de cima para baixo”, escavando-se o silício por um processo chamado fotolitografia. A equipe do Dr. Lars-Erik Wernersson, da Universidade de Lund, partiu do enfoque oposto, construindo o seu transístor de baixo para cima, ou seja, fazendo-o crescer naturalmente como um cristal. Os cientistas já sabem que não conseguirão avançar a miniaturização além de determinadas dimensões com as tecnologia atual, baseada no silício.”