Memórias PCM – Possível substituto da Memória RAM e Flash

A IBM anunciou um protótipo funcional de um novo tipo de memória que poderá substituir tanto a memória flash quando a RAM convencional. Denominado Phase-Change Memory (PCM), esse novo tipo de memória é 500 vezes mais rápida que a memória NAND convencional, é menor em tamanho e ainda consome metade da energia que a NAND.

Em setembro deste ano, a Samsung anunciou a construção de um protótipo funcional de uma memória PCM de 512 Mbits. Espera-se que ela entre em produção em 2008. A memória PCM ou PRAM (assim chamada pela Samsung) chegará primeiro aos dispositívos móveis, que requerem menor consumo de energia, maior velocidade e memóras não-voláteis, logo depois ela já deve chegar aos notebooks.

Tanto a tecnologia da IBM quanto a tecnologia da Samsung funcionam usando pulsos elétricos que induzem uma mudança na estrutura cristalina do material semicondutor, assim mudando a sua resistência. Uma vez que o estado do material foi modificado, ele continuará naquele estado mesmo na ausência de energia até que outro pulso mude o estado novamente.