Memória: padrões para evitar confusões

O mercado de memória deve ser uma das coisas mais previsíveis da indústria da tecnologia contemporânea. Os fabricantes de memória DRAM adoram a padronização, porque graças a ela eles podem se preocupar com um processo de fabricação eficiente, e não com a compatibilidade de seus produtos com controladores específicos. Os fabricantes de dispositivos também adoram a padronização, porque eles têm muitas fontes de DRAM. Isso não vai mudar nem em 2020.

Como nós sabemos, os maiores fabricantes de DRAM vão dar início à produção da próxima geração de memória DDR4 em 2012. As projeções indicam que a transição em massa para a nova memória vá acontecer lá para 2015, o que significa que em 2020 a DDR5 vai estar em ascensão. Como nós já sabemos, os clocks efetivos de 2.133 MHz a 4.266 MHz da DDR4 levam a uma mudança da topologia do subsistema de memória para a interconexão de ponto a ponto. Com isso, os fabricantes de DRAM vão ter que aumentar a capacidade dos chips de memória usando a técnica multicamadas com tecnologia TSV. No caso dos servidores, não será viável adotar apenas a abordagem dos circuitos integrados de DRAM com multicamadas, e switches especiais serão instalados nas placas-mãe para permitir que vários módulos de memória funcionem em um único canal de memória.

A topologia ponto a ponto da DDR4 é questionável, mas, segundo os fabricantes, inevitável. Levando-se em conta que a JEDEC, a organização que padroniza memórias e outras tecnologias, raramente faz grandes alterações, é bastante provável que a topologia ponto a ponto também seja parte da DDR5. Naturalmente, podemos esperar por velocidades efetivas de clock entre 4,20 GHz e 8,40 GHz, além de chips e módulos de tamanhos menores de modo geral.

O que nós não esperamos que aconteça é a emergência de um padrão proprietário que tenha alguma chance no mercado de massa. Na década passada, presenciamos várias tentativas de se emplacar tecnologias de memória proprietárias no mercado, mas todas falharam, das que envolviam chips de memória completamente diferentes (XDR) às simples modificações de plataformas (QBM).

Há várias tecnologias com potencial para combinar as vantagens de memórias flash e DRAM. Esperamos que algumas conquistem seu lugar no mercado comercial nos próximos dez anos, mas não acreditamos que chegarão a substituir as memórias DRAM e NAND flash que temos hoje.