Não é de hoje que se discute até que ponto a miniaturização dos transistores pode continuar. Uma década atrás, se achava que o limite seria atingido por volta dos 32 nm, uma barreira que está prestes a ser quebrada.
Atualmente, já existem projetos piloto de fabricação usando técnicas de até 22 nm, o que significam pelo menos mais três gerações depois dos 45 nm usados atualmente. A grande dúvida fica por conta do futuro, já que os 22 nm parecem ser a barreira final para o processo de litografia ótica, que tem sido a base para a fabricação de processadores ao longo das últimas décadas.
A partir dos 45 nm, cada transistor passa a ser composto por poucas centenas de átomos, que passam a se comportar de forma errática. Em resumo, em vez de um cristal de silício, passa-se a trabalhar com átomos de silício. Em um transistor fabricado usando uma técnica de 22 nm, por exemplo, o control gate possui apenas 42 átomos de comprimento.
Toda a indústria da tecnologia e informação, ao Intel ao Google se sustenta com base na ideia da evolução contínua no poder de processamento e armazenamento, que mantém os ciclos de upgrades e a expansão da capacidade dos datacenters. Dentro desse cenários, uma eventual paralisação na evolução dos transistores causaria o caos.
Entretanto, parece que ainda não será dessa vez. Pesquisadores australianos da University of New South Wales anunciaram o desenvolvimento de uma nova técnica de manipulação, que permite mover átomos individuais, posicionando-os com precisão para criar as estruturas desejadas. Usando a técnica, eles foram capazes de criar um transistor funcional substituindo 7 átomos do cristal de silício por átomos de fósforo, criando um transistor funcional que mede apenas 4 nm:
Esta é uma tecnologia que está ainda muito longe do mercado, já que o experimento consistiu em um único transistor produzido artesanalmente, e não em um novo processo de fabricação. De qualquer maneira, ele demonstra que existe vida após os 22 nm.
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https://www.nature.com/nchem/journal/vaop/ncurrent/pdf/nchem.670.pdf
