Confira novas informações sobre o Snapdragon 835

Em novembro do ano passado a Qualcomm revelou que o seu primeiro SoC para 2017 seria o Snapdragon 835, o destaque fica por conta do processo de fabricação de 10nm. Porém a companhia não revelou muitas informações técnicas, já que todos os detalhes serão mostrados agora em janeiro durante a CES 2017.

Muitas dessas informações mais técnicas sobre o novo chip têm sido mostradas em diversos vazamentos, o mais recente deles mostra inclusive a apresentação de slides da Qualcomm sobre o Snapdragon 835. Para manter você atualizado reunimos as principais informações oficializadas pela Qualcomm até o momento e também as extraoficiais. Confira abaixo!

Informações confirmadas pela Qualcomm:

– Processo de fabricação FinFET de 10nm

– Quick Charger 4.0 (cinco horas de carga com apenas cinco minutos na tomada)

– 30% mais eficiente em relação ao espaço ocupado

– 27% mais performance

– 40% na redução do consumo energético.

Informações extraoficiais:

De acordo com o que tem vazado na Internet, o marketing da Qualcomm com o Snapdragon 835 bate na tecla que não é necessário muitos núcleos e sim núcleos eficientes. O Snapdragon 835 aposta no modelo heterogêneo, isso significa que há diferentes, divididos entre os de alta performance e outros que são mais eficientes energeticamente. Esse modelo de SoC se caracteriza pelo balanceamento entre performance e eficiência energética. Falando em eficiência energética, em um dos slides a Qualcomm faz um comparativo entre o Snapdragon 801, lançado em 2014, com o Snapdragon 835, a redução do consumo é de 50%.

No caso do Snapdragon 835 seriam 8 núcleos da arquitetura Kyro, que entrega cerca de 20% mais performance relação a arquitetura anterior. 4 desses núcleos seriam de alta performance, alcançando até 2.45 Ghz de clock, enquanto os outros 4 seriam os mais eficientes energéticamente, rodando com clock de até 1.9 Ghz.

A GPU seria a Adreno 540, com 25% mais performance que a anterior, e com maior reprodução de cores. Maior potencial para câmeras e realidade virtual. Além da compatibilidade com APIs como DirectX 12 e Vulkan. Graças ao DSP Hexagon 690 o Snapdragon 835 será capaz de lidar com conteúdo em 4K à 60 fps.  

Um dos slides também menciona o processo de fabricação, que é de 10nm, FinFET de segunda geração. A Qualcomm cita que a redução e melhor eficiência dos transistores proporciona baterias de maior capacidade, smartphones mais finos, novas funcionalidades, entre outras coisas. 

Quais smartphones irão receber o Snapdragon 835?

Alguns indícios apontam que o LG G6 o Xiaomi MI6 e uma variante do Galaxy S8 seriam os primeiros modelos anunciados com o novo SoC da Qualcomm. A CES 2017 está logo aí, e provavelmente esses mistérios serão desvendados, vamos aguardar 🙂