Depois da Intel e Micron no campo das memórias Flash NAND, a Samsung revelou um potencial avanço em sua memória “Green DDR3” (ou DDR ‘verde’), desenvolvendo os primeiros exemplares sob técnica de produção de 30 nanômetros. Este tamanho permite chips de 2 Gigabits (256 MB) que usam 30% menos energia que um DDR3 de 50 nm.
Em um notebook comum, a Samsung estima que um pente de memória RAM de 4 GB, já fabricado sob esta nova tecnologia, consumirá somente 3 Watts de energia, estendendo a autonomia da bateria. E, já que uma quantidade maior de chips pode ser construído com um determinado wafer, a empresa estima que a fabricação dos chips de 30 nm será 60% mais eficiente que as técnicas de 50 e 60 nanômetros, resultado em preços menores.
Esta pode ser uma boa notícia para aqueles que até hoje não compraram pentes de memórias DDR3 de 4 GB por causa do preço muito alto. Contudo, esta memória da Samsung ainda está nos estágios inicias, e não atingirá a produção em massa pelo menos até o segundo semestre deste ano.
Página oficial:
https://www.samsung.com/global/business/semiconductor/prod…
Fontes:
https://www.electronista.com/articles/10/02/01/samsung.30nm.ram.s…
